Вибір шліфувального круга для обробки напівпровідникової пластини включає матеріал пластини, стадію шліфування, абразивне зерно, сумісність обладнання та вимоги до якості поверхні. Застосування пластин із кремнію та SiC вимагає різних міркувань щодо видалення матеріалу, стабільності шліфування та контролю пошкодження поверхні.
Шліфування пластин SiC представляє більші труднощі, ніж шліфування кремнію, через високу твердість і крихкість матеріалу SiC. Ключові фактори включають видалення матеріалу, вибір шліфувального інструменту, параметри процесу та контроль якості поверхні.
тріщини, відколи та дефекти під поверхнею. Параметри шліфування, абразивні умови та матеріал пластини є ключовими факторами для підтримки стабільної якості поверхні.
з різними пріоритетами щодо видалення матеріалу та якості поверхні. Їх відмінності в глибині шліфування, зернистості абразиву, контролі розмірів і виборі інструменту впливають на результати обробки пластин.
Пошкодження поверхні під час шліфування пластини впливає на якість пластини через подряпини, тріщини, відколи та дефекти під поверхнею. Параметри шліфування, абразивні умови та матеріал пластини є ключовими факторами для підтримки стабільної якості поверхні.
Практичне порівняння чотиристоронніх і звичайних шліфувальних кругів для скла для різних виробничих вимог і умов обробки. Основні міркування включають пропускну здатність, якість краю, стабільність високої швидкості, сумісність з машиною та загальну вартість експлуатації.